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※1:シリコンなどの物質に光を当てると電子が飛び出して電気が流れる現象。 |
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発電性能が約43%※1アップ |
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HIT200Bは、高効率化技術の導入により当社従来型結晶系150Wモジュールに比べ、発電性能が約33%※1アップ(モジュール変換効率12.7%から17.0%へ)。 |
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優れた温度特性により 屋根等に設置された太陽電池の表面温度は、夏の晴天時で75℃にもなり、従来の結晶系タイプでは発電電力が大幅に低下します。「HIT200B」は優れた温度特性により、夏場の高温時でも高い出力が得られます。 ![]() |
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発電ロスの少ないHIT太陽電池 太陽電池セル界面の欠陥領域の発電ロスを抑え 結晶系基板と、p型及びn型アモルファスシリコン層の間に不純物を添加させないi型アモルファスシリコン層を形成することで、界面特性の向上を図り、発電ロスを減らすことが可能になりました。
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省スペース化を実現 例えば3.0kW相当システムを設置するには、従来の結晶系150Wモジュール(当社)では20枚(約24m2)必要でしたが、「HIT200B」にすると、わずか15枚(約18m2)のモジュールで設置でき、今まで設置できなかった屋根にも対応します。
約30%※3軽量化 モジュール自体の軽量化(1枚あたり約7%〈当社従来モジュールとの比較〉)と少ない枚数設置で屋根への負担をさらに軽くしました。 ![]() |
